Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(1 0 0): Fid-Bau Portal

Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(1 0 0)

Ariyoshi, S. / Takeuchi, S. / Nakatsuka, O. / Sakai, A. / Zaima, S. / Yasuda, Y.

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Titel:

Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(1 0 0)

Beteiligte:

Ariyoshi, S. (Autor:in) / Takeuchi, S. (Autor:in) / Nakatsuka, O. (Autor:in) / Sakai, A. (Autor:in) / Zaima, S. (Autor:in) / Yasuda, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 117-121

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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