Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition: Fid-Bau Portal

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition

Takeuchi, S. / Nakatsuka, O. / Wakazono, Y. / Sakai, A. / Zaima, S. / Yasuda, Y.

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Titel:

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition

Beteiligte:

Takeuchi, S. (Autor:in) / Nakatsuka, O. (Autor:in) / Wakazono, Y. (Autor:in) / Sakai, A. (Autor:in) / Zaima, S. (Autor:in) / Yasuda, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 5-9

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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