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Reactive ion etching of Si1-xGex alloy with hydrogen bromide

Wang, C. S. / Shu, D. Y. / Hsieh, W. Y. / Tsai, M. J.

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Titel:

Reactive ion etching of Si1-xGex alloy with hydrogen bromide

Beteiligte:

Wang, C. S. (Autor:in) / Shu, D. Y. (Autor:in) / Hsieh, W. Y. (Autor:in) / Tsai, M. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 222-226

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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