Fabrication of 0.12 mm pMOSFETs on high Ge fraction Si/Si1-xGex/Si(1 0 0) heterostructure with ultrashallow source/drain formed using B-doped SiGe CVD: Fid-Bau Portal

Fabrication of 0.12 mm pMOSFETs on high Ge fraction Si/Si1-xGex/Si(1 0 0) heterostructure with ultrashallow source/drain formed using B-doped SiGe CVD

Lee, D. / Takehiro, S. / Sakuraba, M. / Murota, J. / Tsuchiya, T.

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Fabrication of 0.12 mm pMOSFETs on high Ge fraction Si/Si1-xGex/Si(1 0 0) heterostructure with ultrashallow source/drain formed using B-doped SiGe CVD

Beteiligte:

Lee, D. (Autor:in) / Takehiro, S. (Autor:in) / Sakuraba, M. (Autor:in) / Murota, J. (Autor:in) / Tsuchiya, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 254-259

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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