Electrical properties of Si1-yCy/Si/SiO2 interface for sub 50 nm strained-channel nMOSFETs: Fid-Bau Portal

Electrical properties of Si1-yCy/Si/SiO2 interface for sub 50 nm strained-channel nMOSFETs

Ducroquet, F. / Ernst, T. / Weber, O. / Hartmann, J. M. / Loup, V. / Besson, P. / Brevard, L. / Di Maria, J. L. / Deleonibus, S.

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Titel:

Electrical properties of Si1-yCy/Si/SiO2 interface for sub 50 nm strained-channel nMOSFETs

Beteiligte:

Ducroquet, F. (Autor:in) / Ernst, T. (Autor:in) / Weber, O. (Autor:in) / Hartmann, J. M. (Autor:in) / Loup, V. (Autor:in) / Besson, P. (Autor:in) / Brevard, L. (Autor:in) / Di Maria, J. L. (Autor:in) / Deleonibus, S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 274-277

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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