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    Titel:

    Study of charge carrier quantization in strained Si-nMOSFETs

    Beteiligte:

    Nguyen, C. D. (Autor:in) / Pham, A. T. (Autor:in) / Jungemann, C. (Autor:in) / Meinerzhagen, B. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 363-366

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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