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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Effect of Doping Concentration in Buried-Channel NMOSFETs on Electrical Properties of 4H-SiC CMOS Devices

    Beteiligte:

    Okamoto, M. (Autor:in) / Iijima, M. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G. / Rupp, R.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 995-998

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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