Characterization of leakage current related to a selectively grown collector in SiGeC heterojunction bipolar transistor structure: Fid-Bau Portal

Characterization of leakage current related to a selectively grown collector in SiGeC heterojunction bipolar transistor structure

Suvar, E. / Haralson, E. / Radamson, H. H. / Wang, Y. B. / Grahn, J. V. / Malm, B. G. / Ostling, M.

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Suvar, E. / Haralson, E. / Radamson, H. H. / Wang, Y. B. / Grahn, J. V. / Malm, B. G. / Ostling, M.

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Titel:

Characterization of leakage current related to a selectively grown collector in SiGeC heterojunction bipolar transistor structure

Beteiligte:

Suvar, E. (Autor:in) / Haralson, E. (Autor:in) / Radamson, H. H. (Autor:in) / Wang, Y. B. (Autor:in) / Grahn, J. V. (Autor:in) / Malm, B. G. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 336-340

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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