Non-stoichiometric growth of GaAs by the vapour pressure controlled Czochralski (VCz) method without B2O3 encapsulation: Fid-Bau Portal

Non-stoichiometric growth of GaAs by the vapour pressure controlled Czochralski (VCz) method without B2O3 encapsulation

Kiessling, F. M. / Neubert, M. / Rudolph, P. / Ulrici, W.

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Titel:

Non-stoichiometric growth of GaAs by the vapour pressure controlled Czochralski (VCz) method without B2O3 encapsulation

Beteiligte:

Kiessling, F. M. (Autor:in) / Neubert, M. (Autor:in) / Rudolph, P. (Autor:in) / Ulrici, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 303-306

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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