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    Effects of AsH3 surface treatment for the improvement of ultra-shallow area-selective regrown GaAs sidewall tunnel junction

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    Titel:

    Effects of AsH3 surface treatment for the improvement of ultra-shallow area-selective regrown GaAs sidewall tunnel junction

    Beteiligte:

    Ohno, T. (Autor:in) / Oyama, Y. (Autor:in) / Suto, K. (Autor:in) / Nishizawa, J. i. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 417-420

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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