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    Titel:

    The influence of impurity profile on ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junction characteristics

    Beteiligte:

    Ohno, T. (Autor:in) / Oyama, Y. (Autor:in) / Nishizawa, J. i. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 7283-7285

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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