Fluorescence EXAFS analysis of ErP grown on InP by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3: Fid-Bau Portal

Fluorescence EXAFS analysis of ErP grown on InP by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3

Ofuchi, H. / Akane, T. / Jinno, S. / Kuno, T. / Hirata, T. / Tabuchi, M. / Fujiwara, Y. / Takeda, Y. / Nakamura, A.

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Titel:

Fluorescence EXAFS analysis of ErP grown on InP by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)3

Beteiligte:

Ofuchi, H. (Autor:in) / Akane, T. (Autor:in) / Jinno, S. (Autor:in) / Kuno, T. (Autor:in) / Hirata, T. (Autor:in) / Tabuchi, M. (Autor:in) / Fujiwara, Y. (Autor:in) / Takeda, Y. (Autor:in) / Nakamura, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 469-472

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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