Single-crystalline growth of CoSi2 by refractory-interlayer-mediated epitaxy: Fid-Bau Portal

Single-crystalline growth of CoSi2 by refractory-interlayer-mediated epitaxy

Akhavan, O. / Moshfegh, A. Z. / Hashemifar, S. J. / Azimirad, R.

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Titel:

Single-crystalline growth of CoSi2 by refractory-interlayer-mediated epitaxy

Beteiligte:

Akhavan, O. (Autor:in) / Moshfegh, A. Z. (Autor:in) / Hashemifar, S. J. (Autor:in) / Azimirad, R. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 233 ; 123-128

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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