Avalanche Multiplication and Breakdown in 4H-SiC Diodes: Fid-Bau Portal

Avalanche Multiplication and Breakdown in 4H-SiC Diodes

Ng, B. K. / David, J. P. R. / Massey, D. J. / Tozer, R. C. / Rees, G. J. / Yan, F. / Zhao, J. H. / Weiner, M.

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Titel:

Avalanche Multiplication and Breakdown in 4H-SiC Diodes

Beteiligte:

Ng, B. K. (Autor:in) / David, J. P. R. (Autor:in) / Massey, D. J. (Autor:in) / Tozer, R. C. (Autor:in) / Rees, G. J. (Autor:in) / Yan, F. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in) / Weiner, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1069-1072

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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