High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation: Fid-Bau Portal

High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation

Negoro, Y. / Miyamoto, N. / Kimoto, T. / Matsunami, H.

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Titel:

High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation

Beteiligte:

Negoro, Y. (Autor:in) / Miyamoto, N. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1273-1276

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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