6A, 1kV 4H-SiC Normally-Off Trenched-and-Implanted Vertical JFETs: Fid-Bau Portal

6A, 1kV 4H-SiC Normally-Off Trenched-and-Implanted Vertical JFETs

Zhao, J. H. / Tone, K. / Li, X. / Alexandrov, P. / Fursin, L. / Weiner, M.

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Titel:

6A, 1kV 4H-SiC Normally-Off Trenched-and-Implanted Vertical JFETs

Beteiligte:

Zhao, J. H. (Autor:in) / Tone, K. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Fursin, L. (Autor:in) / Weiner, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1213-1216

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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