Design and Yield of 9 kV Unipolar Normally-ON Vertical-Channel SiC JFETs: Fid-Bau Portal

Design and Yield of 9 kV Unipolar Normally-ON Vertical-Channel SiC JFETs

Veliadis, V. / Stewart, E.J. / Hearne, H. / McNutt, T. / Chang, W. / Snook, M. / Lelis, A.J. / Scozzie, C.

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Titel:

Design and Yield of 9 kV Unipolar Normally-ON Vertical-Channel SiC JFETs

Beteiligte:

Veliadis, V. (Autor:in) / Stewart, E.J. (Autor:in) / Hearne, H. (Autor:in) / McNutt, T. (Autor:in) / Chang, W. (Autor:in) / Snook, M. (Autor:in) / Lelis, A.J. (Autor:in) / Scozzie, C. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 617-620

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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