Direct Growth of High Quality GaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy on 4H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Direct Growth of High Quality GaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy on 4H-SiC Substrates

Fossard, F. / Brault, J. / Gogneau, N. / Monroy, E. / Enjalbert, F. / Dang, L. S. / Bellet-Amalric, E. / Monnoye, S. / Mank, H. / Daudin, B.

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Fossard, F. / Brault, J. / Gogneau, N. / Monroy, E. / Enjalbert, F. / Dang, L. S. / Bellet-Amalric, E. / Monnoye, S. / Mank, H. / Daudin, B.

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Titel:

Direct Growth of High Quality GaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy on 4H-SiC Substrates

Beteiligte:

Fossard, F. (Autor:in) / Brault, J. (Autor:in) / Gogneau, N. (Autor:in) / Monroy, E. (Autor:in) / Enjalbert, F. (Autor:in) / Dang, L. S. (Autor:in) / Bellet-Amalric, E. (Autor:in) / Monnoye, S. (Autor:in) / Mank, H. (Autor:in) / Daudin, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1577-1580

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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