Characterization of Thick 2-Inch 4H-SiC Layers Grown by the Continuous Feed-Physical Vapor Transport Method: Fid-Bau Portal

Characterization of Thick 2-Inch 4H-SiC Layers Grown by the Continuous Feed-Physical Vapor Transport Method

Chaussende, D. / Balloud, C. / Auvray, L. / Baillet, F. / Zielinski, M. / Juillaguet, S. / Mermoux, M. / Pernot, E. / Camassel, J. / Pons, M.

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Chaussende, D. / Balloud, C. / Auvray, L. / Baillet, F. / Zielinski, M. / Juillaguet, S. / Mermoux, M. / Pernot, E. / Camassel, J. / Pons, M.

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Titel:

Characterization of Thick 2-Inch 4H-SiC Layers Grown by the Continuous Feed-Physical Vapor Transport Method

Beteiligte:

Chaussende, D. (Autor:in) / Balloud, C. (Autor:in) / Auvray, L. (Autor:in) / Baillet, F. (Autor:in) / Zielinski, M. (Autor:in) / Juillaguet, S. (Autor:in) / Mermoux, M. (Autor:in) / Pernot, E. (Autor:in) / Camassel, J. (Autor:in) / Pons, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 91-94

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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