Growth of Homoepitaxial Films on 4H-SiC(1120)and 8^o Off-Axis 4H-SiC(0001) Substrates and their Characterization: Fid-Bau Portal

Growth of Homoepitaxial Films on 4H-SiC(1120)and 8^o Off-Axis 4H-SiC(0001) Substrates and their Characterization

Bishop, S. M. / Preble, E. A. / Hallin, C. / Henry, A. / Storasta, L. / Jacobson, H. / Wagner, B. P. / Reitmeier, Z. J. / Janzen, E. / Davis, R. F.

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Titel:

Growth of Homoepitaxial Films on 4H-SiC(1120)and 8^o Off-Axis 4H-SiC(0001) Substrates and their Characterization

Beteiligte:

Bishop, S. M. (Autor:in) / Preble, E. A. (Autor:in) / Hallin, C. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Storasta, L. (Autor:in) / Jacobson, H. (Autor:in) / Wagner, B. P. (Autor:in) / Reitmeier, Z. J. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Davis, R. F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 221-224

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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