TEM of Dislocations in Forward-Biased 4H-SiC PiN Diodes: Fid-Bau Portal

TEM of Dislocations in Forward-Biased 4H-SiC PiN Diodes

Zhang, M. / Lendenmann, H. / Pirouz, P.

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Titel:

TEM of Dislocations in Forward-Biased 4H-SiC PiN Diodes

Beteiligte:

Zhang, M. (Autor:in) / Lendenmann, H. (Autor:in) / Pirouz, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 359-362

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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