Characterization of Double Stacking Faults Induced by Thermal Processing of Heavily N-Doped 4H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Characterization of Double Stacking Faults Induced by Thermal Processing of Heavily N-Doped 4H-SiC Substrates

Skromme, B. J. / Mikhov, M. K. / Chen, L. / Samson, G. / Wang, R. / Li, C. / Bhat, I.

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Titel:

Characterization of Double Stacking Faults Induced by Thermal Processing of Heavily N-Doped 4H-SiC Substrates

Beteiligte:

Skromme, B. J. (Autor:in) / Mikhov, M. K. (Autor:in) / Chen, L. (Autor:in) / Samson, G. (Autor:in) / Wang, R. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / Bhat, I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 581-584

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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