Improving reactive ion etching selectivity of GaAs/AlGaAs with He plus: Fid-Bau Portal

Improving reactive ion etching selectivity of GaAs/AlGaAs with He plus

Lin, C. S. / Fang, Y. K. / Chen, S. F. / Lin, C. Y. / Hsieh, M. C. / Wang, C. C. / Huang, H. K. / Wu, C. L. / Chang, C. S.

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Titel:

Improving reactive ion etching selectivity of GaAs/AlGaAs with He plus

Beteiligte:

Lin, C. S. (Autor:in) / Fang, Y. K. (Autor:in) / Chen, S. F. (Autor:in) / Lin, C. Y. (Autor:in) / Hsieh, M. C. (Autor:in) / Wang, C. C. (Autor:in) / Huang, H. K. (Autor:in) / Wu, C. L. (Autor:in) / Chang, C. S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 59-62

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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