Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology: Fid-Bau Portal

Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology

Pisecny, P. / Husekova, K. / Frohlich, K. / Harmatha, L. / Soltys, J. / Machajdik, D. / Espinos, J. P. / Jergel, M. / Jakabovic, J.

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Titel:

Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology

Beteiligte:

Pisecny, P. (Autor:in) / Husekova, K. (Autor:in) / Frohlich, K. (Autor:in) / Harmatha, L. (Autor:in) / Soltys, J. (Autor:in) / Machajdik, D. (Autor:in) / Espinos, J. P. (Autor:in) / Jergel, M. (Autor:in) / Jakabovic, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 231-236

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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