Application of Ru-based gate materials for CMOS technology: Fid-Bau Portal

Application of Ru-based gate materials for CMOS technology

Tapajna, M. / Pisecny, P. / Luptak, R. / Husekova, K. / Frohlich, K. / Harmatha, L. / Hooker, J. C. / Roozeboom, F. / Jergel, J.

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Titel:

Application of Ru-based gate materials for CMOS technology

Beteiligte:

Tapajna, M. (Autor:in) / Pisecny, P. (Autor:in) / Luptak, R. (Autor:in) / Husekova, K. (Autor:in) / Frohlich, K. (Autor:in) / Harmatha, L. (Autor:in) / Hooker, J. C. (Autor:in) / Roozeboom, F. (Autor:in) / Jergel, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 271-276

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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