Study of the poly/epi kinetic ratio in SiH4 based chemistry for new CMOS architectures: Fid-Bau Portal

Study of the poly/epi kinetic ratio in SiH4 based chemistry for new CMOS architectures

Talbot, A. / Arcamone, J. / Fellous, C. / Deleglise, F. / Dutartre, D.

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Titel:

Study of the poly/epi kinetic ratio in SiH4 based chemistry for new CMOS architectures

Beteiligte:

Talbot, A. (Autor:in) / Arcamone, J. (Autor:in) / Fellous, C. (Autor:in) / Deleglise, F. (Autor:in) / Dutartre, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 21-24

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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