Suppression of boron transient enhanced diffusion in silicon and silicon germanium by fluorine implantation: Fid-Bau Portal

Suppression of boron transient enhanced diffusion in silicon and silicon germanium by fluorine implantation

El Mubarek, H. A. / Wang, Y. / Price, R. / Bonar, J. M. / Zhang, J. / Hemment, P. L. / Ashburn, P.

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Titel:

Suppression of boron transient enhanced diffusion in silicon and silicon germanium by fluorine implantation

Beteiligte:

El Mubarek, H. A. (Autor:in) / Wang, Y. (Autor:in) / Price, R. (Autor:in) / Bonar, J. M. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Hemment, P. L. (Autor:in) / Ashburn, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 103-109

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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