Strain evaluation of strained-Si layers on SiGe by the nano-beam electron diffraction (NBD) method: Fid-Bau Portal

Strain evaluation of strained-Si layers on SiGe by the nano-beam electron diffraction (NBD) method

Usuda, K. / Numata, T. / Takagi, S.

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Titel:

Strain evaluation of strained-Si layers on SiGe by the nano-beam electron diffraction (NBD) method

Beteiligte:

Usuda, K. (Autor:in) / Numata, T. (Autor:in) / Takagi, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 155-159

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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