Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25mm heterostructure CMOS process: Fid-Bau Portal

Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25mm heterostructure CMOS process

Paul, D. J. / Temple, M. / Olsen, S. H. / ONeill, A. G. / Tang, Y. T. / Waite, A. M. / Cerrina, C. / Evans, A. G. / Li, X. / Zhang, J.

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Titel:

Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25mm heterostructure CMOS process

Beteiligte:

Paul, D. J. (Autor:in) / Temple, M. (Autor:in) / Olsen, S. H. (Autor:in) / ONeill, A. G. (Autor:in) / Tang, Y. T. (Autor:in) / Waite, A. M. (Autor:in) / Cerrina, C. (Autor:in) / Evans, A. G. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 343-346

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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