Quantitative strain and stress measurements in Ge/Si dual channels grown on a Si0.5Ge0.5 virtual substrate: Fid-Bau Portal

Quantitative strain and stress measurements in Ge/Si dual channels grown on a Si0.5Ge0.5 virtual substrate

Cherkashin, N. / Hytch, M. J. / Snoeck, E. / Claverie, A. / Hartmann, J. M. / Bogumilowicz, Y.

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Titel:

Quantitative strain and stress measurements in Ge/Si dual channels grown on a Si0.5Ge0.5 virtual substrate

Beteiligte:

Cherkashin, N. (Autor:in) / Hytch, M. J. (Autor:in) / Snoeck, E. (Autor:in) / Claverie, A. (Autor:in) / Hartmann, J. M. (Autor:in) / Bogumilowicz, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 118-122

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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