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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Electrical and reliability characteristics of HfO2 gate dielectric treated in N2 and NH3 plasma atmosphere

    Beteiligte:

    Kim, J. H. (Autor:in) / Choi, K. J. (Autor:in) / Yoon, S. G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 242 ; 313-317

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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