HfO2 as gate dielectric on Ge: Interfaces and deposition techniques: Fid-Bau Portal

HfO2 as gate dielectric on Ge: Interfaces and deposition techniques

Caymax, M. / Van Elshocht, S. / Houssa, M. / Delabie, A. / Conard, T. / Meuris, M. / Heyns, M. M. / Dimoulas, A. / Spiga, S. / Fanciulli, M.

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Caymax, M. / Van Elshocht, S. / Houssa, M. / Delabie, A. / Conard, T. / Meuris, M. / Heyns, M. M. / Dimoulas, A. / Spiga, S. / Fanciulli, M.

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Titel:

HfO2 as gate dielectric on Ge: Interfaces and deposition techniques

Beteiligte:

Caymax, M. (Autor:in) / Van Elshocht, S. (Autor:in) / Houssa, M. (Autor:in) / Delabie, A. (Autor:in) / Conard, T. (Autor:in) / Meuris, M. (Autor:in) / Heyns, M. M. (Autor:in) / Dimoulas, A. (Autor:in) / Spiga, S. (Autor:in) / Fanciulli, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 135 ; 256-260

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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