Three-step mechanism of the water recombination reactions on SiO2/Si surface in the first stage of ZrO2 atomic layer deposition: Fid-Bau Portal

Three-step mechanism of the water recombination reactions on SiO2/Si surface in the first stage of ZrO2 atomic layer deposition

Jeloaica, L. / Estève, A. / Dkhissi, A. / Estève, D. / Djafari-Rouhani, M.

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Titel:

Three-step mechanism of the water recombination reactions on SiO2/Si surface in the first stage of ZrO2 atomic layer deposition

Beteiligte:

Jeloaica, L. (Autor:in) / Estève, A. (Autor:in) / Dkhissi, A. (Autor:in) / Estève, D. (Autor:in) / Djafari-Rouhani, M. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 33 ; 59-65

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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