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Development of Epitaxial SiC Processes Suitable for Bipolar Power Devices

Sumakeris, J. J. / Das, M. K. / Ha, S. / Hurt, E. / Irvine, K. / Paisley, M. J. / O Loughlin, M. J. / Palmour, J. W. / Skowronski, M. / Hobgood, H. M.

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Sumakeris, J. J. / Das, M. K. / Ha, S. / Hurt, E. / Irvine, K. / Paisley, M. J. / O Loughlin, M. J. / Palmour, J. W. / Skowronski, M. / Hobgood, H. M.

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Titel:

Development of Epitaxial SiC Processes Suitable for Bipolar Power Devices

Beteiligte:

Sumakeris, J. J. (Autor:in) / Das, M. K. (Autor:in) / Ha, S. (Autor:in) / Hurt, E. (Autor:in) / Irvine, K. (Autor:in) / Paisley, M. J. (Autor:in) / O Loughlin, M. J. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Hobgood, H. M. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 155-158

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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