4H-SiC Epitaxial Growth for High-Power Devices: Fid-Bau Portal

4H-SiC Epitaxial Growth for High-Power Devices

Tsuchida, H. / Kamata, I. / Jikimoto, T. / Miyanagi, T. / Izumi, K.

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Titel:

4H-SiC Epitaxial Growth for High-Power Devices

Beteiligte:

Tsuchida, H. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Jikimoto, T. (Autor:in) / Miyanagi, T. (Autor:in) / Izumi, K. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 131-136

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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