J-V Characteristics of Al^+ Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600^oC: Fid-Bau Portal

J-V Characteristics of Al^+ Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600^oC

Bergamini, F. / Rao, S. P. / Saddow, S. E. / Nipoti, R.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

J-V Characteristics of Al^+ Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600^oC

Bergamini, F. / Rao, S. P. / Saddow, S. E. / Nipoti, R.

J-V Characteristics of Al^+ Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600^oC

Bergamini, F. / Rao, S. P. / Saddow, S. E. / Nipoti, R.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

J-V Characteristics of Al^+ Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600^oC

Beteiligte:

Bergamini, F. (Autor:in) / Rao, S. P. (Autor:in) / Saddow, S. E. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 629-632

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Burtsev, A. / Schut, H. / Nanver, L. K. et al. | British Library Online Contents | 2004

Ion Implanted p^+/n Diodes: Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient in a Cold-Wall Low-Pressure CVD Reactor

Bergamini, F. / Rao, S. P. / Poggi, A. et al. | British Library Online Contents | 2006

XPS Study of Laser Annealed Ion Implanted InP

Krastev, V. / Marinova, T. / Kalitzova, M. et al. | British Library Online Contents | 1996

Ar Annealing at 1600^oC and 1650^oC of Al^+ Implanted p^+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V Characteristics Versus Annealing Temperature

Bergamini, F. / Moscatelli, F. / Canino, M. et al. | British Library Online Contents | 2005

High Dose Al^+ Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC

Nipoti, R. / Nath, A. / Rao, M.V. et al. | British Library Online Contents | 2012

Nach oben