Ion Beam Analysis and Computer Simulation of Damage Accumulation in Nitrogen Implanted 6H-SiC: Effects of Channeling: Fid-Bau Portal

Ion Beam Analysis and Computer Simulation of Damage Accumulation in Nitrogen Implanted 6H-SiC: Effects of Channeling

Zolnai, Z. / Ster, A. / Khanh, N. Q. / Kotai, E. / Posselt, M. / Battistig, G. / Lohner, T. / Gyulai, J.

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Titel:

Ion Beam Analysis and Computer Simulation of Damage Accumulation in Nitrogen Implanted 6H-SiC: Effects of Channeling

Beteiligte:

Zolnai, Z. (Autor:in) / Ster, A. (Autor:in) / Khanh, N. Q. (Autor:in) / Kotai, E. (Autor:in) / Posselt, M. (Autor:in) / Battistig, G. (Autor:in) / Lohner, T. (Autor:in) / Gyulai, J. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 637-640

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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