Studies of Damage Accumulation in 4H Silicon Carbide by Ion-Channeling Techniques: Fid-Bau Portal

Studies of Damage Accumulation in 4H Silicon Carbide by Ion-Channeling Techniques

Zhang, Y. / Gao, F. / Jiang, W. / McCready, D. E. / Weber, W. J.

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Titel:

Studies of Damage Accumulation in 4H Silicon Carbide by Ion-Channeling Techniques

Beteiligte:

Zhang, Y. (Autor:in) / Gao, F. (Autor:in) / Jiang, W. (Autor:in) / McCready, D. E. (Autor:in) / Weber, W. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 475/479 ; 1341-1344

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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