Investigation of Degradation of Inversion Channel Mobility of SiC MOSFET due to the Increase of Channel Doping: Fid-Bau Portal

Investigation of Degradation of Inversion Channel Mobility of SiC MOSFET due to the Increase of Channel Doping

Hatakeyama, T. / Watanabe, T. / Senzaki, J. / Kato, M. / Fukuda, K. / Shinohe, T. / Arai, K.

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Titel:

Investigation of Degradation of Inversion Channel Mobility of SiC MOSFET due to the Increase of Channel Doping

Beteiligte:

Hatakeyama, T. (Autor:in) / Watanabe, T. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Kato, M. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 829-832

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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