Ferroelectric Properties of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure for High Density FeRAM Device: Fid-Bau Portal

Ferroelectric Properties of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure for High Density FeRAM Device

Cho, K. W. / Kim, N. K. / Oh, S. H. / Choi, E. S. / Sun, H. J. / Yeom, S. J. / Lee, K. N. / Lee, S. S. / Hong, S. K. / Choi, S. K.

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Cho, K. W. / Kim, N. K. / Oh, S. H. / Choi, E. S. / Sun, H. J. / Yeom, S. J. / Lee, K. N. / Lee, S. S. / Hong, S. K. / Choi, S. K.

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Titel:

Ferroelectric Properties of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure for High Density FeRAM Device

Beteiligte:

Cho, K. W. (Autor:in) / Kim, N. K. (Autor:in) / Oh, S. H. (Autor:in) / Choi, E. S. (Autor:in) / Sun, H. J. (Autor:in) / Yeom, S. J. (Autor:in) / Lee, K. N. (Autor:in) / Lee, S. S. (Autor:in) / Hong, S. K. (Autor:in) / Choi, S. K. (Autor:in)

Erschienen in:

Eco-Materials Processing & Design VI ; 285-288

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 486/487

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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