Cell Sensing Margin of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure in High Density FeRAM Device: Fid-Bau Portal

Cell Sensing Margin of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure in High Density FeRAM Device

Choi, J. H. / Yoo, H. S. / Cho, K. W. / Kim, N. K. / Oh, S. H. / Choi, E. S. / Yeom, S. J. / Sun, H. J. / Lee, S. S. / Lee, K. N.

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Choi, J. H. / Yoo, H. S. / Cho, K. W. / Kim, N. K. / Oh, S. H. / Choi, E. S. / Yeom, S. J. / Sun, H. J. / Lee, S. S. / Lee, K. N.

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Titel:

Cell Sensing Margin of Lead-Free (Bi,La)~4Ti~3O~1~2 Thin Film Deposited on MTP Cell Structure in High Density FeRAM Device

Beteiligte:

Choi, J. H. (Autor:in) / Yoo, H. S. (Autor:in) / Cho, K. W. (Autor:in) / Kim, N. K. (Autor:in) / Oh, S. H. (Autor:in) / Choi, E. S. (Autor:in) / Yeom, S. J. (Autor:in) / Sun, H. J. (Autor:in) / Lee, S. S. (Autor:in) / Lee, K. N. (Autor:in)

Erschienen in:

Eco-Materials Processing & Design VII: Proceedings of the Conference of the 7^t^h International Symposium on Eco-Materials Processing & Design January 8-11, 2006, Chengdu, China ; 530-533

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 510/511

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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