Impact of physical and electrical thickness scaling on the reliability of plasma-nitrided gate dielectrics in a 90 nm SOI manufacturing technology: Fid-Bau Portal

Impact of physical and electrical thickness scaling on the reliability of plasma-nitrided gate dielectrics in a 90 nm SOI manufacturing technology

Geilenkeuser, R. / Wieczorek, K. / Mantei, T. / Graetsch, F. / Herrmann, L. / Weidner, J. O.

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Titel:

Impact of physical and electrical thickness scaling on the reliability of plasma-nitrided gate dielectrics in a 90 nm SOI manufacturing technology

Beteiligte:

Geilenkeuser, R. (Autor:in) / Wieczorek, K. (Autor:in) / Mantei, T. (Autor:in) / Graetsch, F. (Autor:in) / Herrmann, L. (Autor:in) / Weidner, J. O. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 118 ; 50-54

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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