Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser: Fid-Bau Portal

Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser

Conde, J. C. / Gonzalez, P. / Lusquinos, F. / Chiussi, S. / Serra, J. / Leon, B.

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Titel:

Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser

Beteiligte:

Conde, J. C. (Autor:in) / Gonzalez, P. (Autor:in) / Lusquinos, F. (Autor:in) / Chiussi, S. (Autor:in) / Serra, J. (Autor:in) / Leon, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 248 ; 461-465

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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