Residual stress in amorphous and nanocrystalline Si films prepared by PECVD with hydrogen dilution: Fid-Bau Portal

Residual stress in amorphous and nanocrystalline Si films prepared by PECVD with hydrogen dilution

Fu, Y. Q. / Luo, J. K. / Milne, S. B. / Flewitt, A. J. / Milne, W. I.

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Titel:

Residual stress in amorphous and nanocrystalline Si films prepared by PECVD with hydrogen dilution

Beteiligte:

Fu, Y. Q. (Autor:in) / Luo, J. K. (Autor:in) / Milne, S. B. (Autor:in) / Flewitt, A. J. (Autor:in) / Milne, W. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 132-137

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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