Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Ab initio study of the effect of hydrogen and point defects on arsenic segregation at Si (100)/SiO2 interfaces

    Neue Suche nach: Ravichandran, K.
    Neue Suche nach: Windl, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Ab initio study of the effect of hydrogen and point defects on arsenic segregation at Si (100)/SiO2 interfaces

    Neue Suche nach: Ravichandran, K.
    Neue Suche nach: Windl, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Ab initio study of the effect of hydrogen and point defects on arsenic segregation at Si (100)/SiO2 interfaces

    Neue Suche nach: Ravichandran, K.
    Neue Suche nach: Windl, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Ab initio study of the effect of hydrogen and point defects on arsenic segregation at Si (100)/SiO2 interfaces

    Beteiligte:

    Ravichandran, K. (Autor:in) / Windl, W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 359-362

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Segregation of antimony to Si/SiO2 interfaces

    Steen, C. / Pichler, P. / Ryssel, H. | British Library Online Contents | 2008

    Segregation of phosphorus to SiO2/Si(001) interfaces

    Dabrowski, J. / Mussig, H. J. / Baierle, R. et al. | British Library Online Contents | 2000

    Segregation of gallium at SiO2/Si interfaces during sputtering with Ga+ ions: experimental and computer simulation study

    Ignatova, V. / Chakarov, I. / Torrisi, A. et al. | British Library Online Contents | 2002

    Hydrogen release at metal-oxide interfaces: A first principle study of hydrogenated Al/SiO2 interfaces

    Huang, Jianqiu / Tea, Eric / Li, Guanchen et al. | British Library Online Contents | 2017

    Hydrogen release at metal-oxide interfaces: A first principle study of hydrogenated Al/SiO2 interfaces

    Huang, Jianqiu / Tea, Eric / Li, Guanchen et al. | British Library Online Contents | 2017

    Nach oben