The effect of ion implantation energy and dosage on the microstructure of the ion beam synthesized FeSi2 in Si: Fid-Bau Portal

The effect of ion implantation energy and dosage on the microstructure of the ion beam synthesized FeSi2 in Si

Chong, Y. T. / Li, Q. / Chow, C. F. / Ke, N. / Cheung, W. Y. / Wong, S. P. / Homewood, K. P.

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Titel:

The effect of ion implantation energy and dosage on the microstructure of the ion beam synthesized FeSi2 in Si

Beteiligte:

Chong, Y. T. (Autor:in) / Li, Q. (Autor:in) / Chow, C. F. (Autor:in) / Ke, N. (Autor:in) / Cheung, W. Y. (Autor:in) / Wong, S. P. (Autor:in) / Homewood, K. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 444-448

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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