Dependence of the interband transitions on the in mole fraction and the applied electric field in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As multiple quantum wells: Fid-Bau Portal

Dependence of the interband transitions on the in mole fraction and the applied electric field in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As multiple quantum wells

Kim, J. H. / Woo, J. T. / Lee, I. / Kim, T. W. / Yoo, K. H. / Kim, M. D. / Ram-Mohan, L. R.

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Titel:

Dependence of the interband transitions on the in mole fraction and the applied electric field in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As multiple quantum wells

Beteiligte:

Kim, J. H. (Autor:in) / Woo, J. T. (Autor:in) / Lee, I. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in) / Yoo, K. H. (Autor:in) / Kim, M. D. (Autor:in) / Ram-Mohan, L. R. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 1716-1722

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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