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Recrystallization behavior of high-fluence N+-implanted GaAs studied by Raman spectroscopy

Wang, J. / Mao, H. / Zhu, Z. / Zhao, Q. / Li, Z. / Lu, W.

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Titel:

Recrystallization behavior of high-fluence N+-implanted GaAs studied by Raman spectroscopy

Beteiligte:

Wang, J. (Autor:in) / Mao, H. (Autor:in) / Zhu, Z. (Autor:in) / Zhao, Q. (Autor:in) / Li, Z. (Autor:in) / Lu, W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 2186-2190

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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