Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator: Fid-Bau Portal

Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator

dos Reis, R. M. / Maltez, R. L. / Moreira, E. C. / Dias, Y. P. / Boudinov, H.

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Titel:

Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator

Beteiligte:

dos Reis, R. M. (Autor:in) / Maltez, R. L. (Autor:in) / Moreira, E. C. (Autor:in) / Dias, Y. P. (Autor:in) / Boudinov, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 258 ; 7395-7400

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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