The effects of both surface segregation of In atoms and strain on the confinement profile of InGaAs/GaAs multi quantum wells: Fid-Bau Portal

The effects of both surface segregation of In atoms and strain on the confinement profile of InGaAs/GaAs multi quantum wells

Smaoui, F. / Mandhour, L. / Maaref, M. A. / Sfaxi, L. / Maaref, H. / Bennaceur, R.

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Titel:

The effects of both surface segregation of In atoms and strain on the confinement profile of InGaAs/GaAs multi quantum wells

Beteiligte:

Smaoui, F. (Autor:in) / Mandhour, L. (Autor:in) / Maaref, M. A. (Autor:in) / Sfaxi, L. (Autor:in) / Maaref, H. (Autor:in) / Bennaceur, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 26 ; 202-207

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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